深圳市FUN88·乐天堂(中国游)数控设备有限公司

    高功率半导体激光芯片的单颗出光功率不停晋升，今朝主流运用已经升至45W，但向更高功率50W、60W甚至更高功率迈进时，作为芯片 "散热后援" 的陶瓷热沉的热导率成为制约因素，虽然AlN陶瓷的热导率由以前的170W/m K晋升至当前的230W/m K，仍成为制约芯片出光功率冲破的 "绊脚石"。度亘核芯全流程自立研发出产的单晶SiC热沉，为行业带来了倾覆性的散热解决方案。

从 "够用" 到 "卓着"

散热技能必需先行

高功率激光芯片的"功率晋升" 与 "散热能力" 始终是一对于共生的命题。主流热沉厂商经由过程不停优化AlN陶瓷机能，将其热导率晋升至230W/m K，可满意光功率45W和如下的芯片的散热需求，然而，当芯片功率高在50W时，结温升高较着、电光效率降落、靠得住性变差。

度亘核芯依托芯片FAB半导体工艺，设置装备摆设了进步前辈的全套热沉产线，于通例AlN热沉不变量产出货的基础上，立异采用高热导率SiC作为基板，霸占了金属附出力差、难切割等系列技能难题，研发出热导率 370W/m K的SiC热沉。批量运用在66W芯片的封装，对于比测试注解，芯片的结温、发散角、偏振（PER）等指标能包管高功率芯片处在不变、高效的运行状况。

SiC热沉封装的66W芯片，于68.5A测试电流下输出功率比AlN热沉超出跨越2W（晋升3%），芯片结温降低7.5℃。如许的机能差异，直不雅表现了SiC热沉于散热能力上的显著上风，确保了高功率芯片的持久靠得住性。

四年夜焦点冲破

铸就热沉技能新高度

采用半导体级的金属化和磨抛工艺

依托半导体级金属化和磨抛装备开发的全主动工艺技能，可精准节制单面Cu层厚度、外貌粗拙度和附出力，同时实现总体热沉的热膨胀系数（CTE）与芯片的精准匹配，使患上芯片的偏振度（PER）体现更优，能于后续泵浦源光纤耦合历程中有用晋升耦合效率。

采用进步前辈的激光切割工艺

单晶SiC硬度远高在AlN陶瓷，度亘核芯针对于性研发的高精度激光切割工艺，从底子上解决了残渣飞溅、切割错位等加工难题，将Cu pullback精准节制于10~20 m规模。这一冲破不仅晋升了出产效率与加工精度，更直接保障了COS共晶贴片环节的一致性和光学耦合工艺的不变性，为高功率激光芯片的COS封装机能提供了要害支撑。

500V 耐压的绝对于保障

采用高纯本征SiC作为基板，使热沉具有 500V 耐电压能力。共同怪异的检测技能，于出产历程中便可精准辨认因基板缺陷致使的耐压不足产物，确保每一一片出厂的热沉都100%经由过程耐电压测试，为泵浦模块的总体耐电压机能提供保障。

全流程品控的极致寻求

从要害参数的精准把控到全生命周期的质量追溯，度亘核芯成立了严谨的品控系统：精准调控AuSn组分（75 5wt% Au），熔点不变，保障贴片步伐固定稳定；经由过程AOI主动查验分选，联合照相留档追溯机制，让每一一片热沉的质量都有据可查；每一一批次产物抽样封装测试，验证及格后再出货，全方位包管出货产物质量。

足够的量产能力

具有强盛交付能力

如今，度亘核芯SiC热沉已经乐成运用在高端泵浦源产物，依附卓着机能博得多家客户的青睐。这不仅是市场对于咱们技能的必定，更标记着高功率激光芯片散热范畴迈入SiC时代。

转自：度亘核芯

注：文章版权归原作者所有，本文内容、图片、视频来自收集，仅供交流进修之用，如触及版权等问题，请您奉告，咱们将和时处置惩罚。

-FUN88乐天堂