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    近日，九峰山试验室于磷化铟（InP）质料范畴取患上主要技能冲破，乐成开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN布局探测器及FP布局激光器的外延生长工艺，要害机能指标到达国际领先程度。这一结果也是海内初次于年夜尺寸磷化铟质料制备范畴实现从焦点设备到要害质料的国产化协同运用，为光电子器件财产化成长提供主要支撑。

九峰山试验室6英寸磷化铟PIN探测器外延片

作为光通讯、量子计较等范畴的焦点质料，磷化铟（InP）质料的财产化运用持久面对年夜尺寸制备的技能瓶颈，业界主流逗留于3英寸工艺阶段，昂扬的成本使其没法满意下流财产运用的发作式增加。

九峰山试验室依托国产MOCVD装备与InP衬底技能，冲破年夜尺寸外延匀称性节制难题，初次开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN布局探测器及FP布局激光器的外延生长工艺， 要害机能指标到达国际领先程度，为实现6英寸磷化铟（InP）光芯片的范围化制备打下基础。

质料机能：

FP激光度量子阱PL发光波长片内尺度差 1.5nm，组分与厚度匀称性 1.5%

PIN探测器质料本底浓度 4 10 cm ，迁徙率 11000 cm /V s

九峰山试验室外延工艺团队

于全世界光电子财产高速成长的配景下，光通讯、激光雷达、太赫兹通讯等范畴对于磷化铟（InP）的需求出现发作式增加。据Yole猜测，磷化铟（InP）光电子市场范围2027年将达56亿美元，年复合增加率（CAGR）达14%。6英寸磷化铟（InP）工艺的冲破，有望鞭策国产光芯片成本降至3英寸工艺的60%-70%，有助在加强国产光芯片市场竞争力。

转自：九峰山试验室

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