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    近日，由国防科技年夜学前沿交织学科学院、姑苏长光华芯光电技能株式会社构成的半导体激光团队，于双色半导体激光器研究方面取患上主要进展。

他们经由过程深切的数值研究发明，切确调控与温度相干的量子阱增益滤波及半导体微腔滤波效应，有望实现双色增益的矫捷调控。于此基础上，团队乐成设计出一款960/1000nm的高亮度增益芯片，该激光器事情在近衍射极限的基模模式，输出亮度高达约310MW/cm sr。

半导体增益芯片输出特征的综合阐发

经由过程这类巧妙的芯片设计，实现了量子阱增益滤波及微腔滤波的有机联合，为双色激光源的实现奠基了设计基础。从机能指标来看，该单片双色激光器实现了高亮度、高矫捷性以和切确同轴光束输出，其亮度于今朝单片双色半导体激光器范畴处在国际领先程度。

转自：激光行业不雅察

来历：激光评论

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